CN105679653B 硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法 （西南科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105679653B公告日2018.02.06

(21)申请号201610052241.X

(22)申请日2016.01.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105679653A

(43)申请公布日2016.06.15

(73)专利权人西南科技大学

地址621010四川省绵阳市涪城区青龙大

道59号中段

专利权人成都特频微电子科技发展有限公司

(72)发明人杨永佳胡思福李同彩胡志伟菲利克斯.胡李晓红刘德雄

温才唐金龙蒋鑫

(74)专利代理机构成都立信专利事务所有限公司51100

代理人冯忠亮

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/24(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

(56)对比文件

CN105206661A,2015.12.30,

JP昭61-154121A,1986.07.12,

WenCaietal.Microstructuringand dopingofmonocrystallinesiliconwith femosecondandnanosecondlaserpulses.《强激光与粒子束》.2015,第27卷第024143页.

审查员陈颂杰

权利要求书2页说明书7页附图1页

(54)发明名称

硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法

(57)摘要

CN105679653B本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF?气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×101?-102?/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5-3.5μm厚度。在N?气氛中利用脉冲宽度为1-800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50-500μm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×101?-102?/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质

CN105679653B

CN105679653B权利要求书1/2页

2

1.硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于包含以下步骤：

1)将硅基太阳能电池衬底芯片清洗烘干后，放置于真空镀膜机真空室内旋转支架上，

2)用高真空电子束镀膜装置，真空度优于3×10?3Pa,电子束加热装置的束流100-350mA,蒸镀时间5-30min,石墨坩埚盛Si块，衬底芯片置于旋转支架上，旋转支架转速5-10圈/分，蒸镀第一层Si膜，厚度0.1-1μm,

3)关闭电子束加热装置，开启钼舟热电阻加热器，加热电流50-350A,钼舟内盛高纯S粉末0.05-0.15g重量，在衬底芯片的第一层Si膜上蒸镀第二层S膜，厚度0.1-0.5μm,关闭钼舟加热器，

4)用步骤2)同样工艺在衬底芯片的第二层S膜蒸镀第三层Si膜，厚度控制在0.3-1μm,在衬底芯片的表面形成Si/S/Si三层膜，

5)关闭电子束加热装置，开启旋转支架的电加热器，3×10?3Pa高真空度下升温至80-300℃,将Si/S/Si三层膜进行真空退火处理10-30分钟，使液态S原子向多孔的Si膜中扩散迁移，S均匀分布在多孔的Si膜中，3×10?3Pa高真空度下的退火处理，防止S原子的氧化，

6)将衬底芯片从高真空镀膜机真空室取出，置于高温退火炉或高温氧化炉，在300-800℃高温、N?保护下热处理5-30分钟，使衬底芯片表面上的多层薄膜转变成S均匀分布致密的S/Si混合物，防止ns激光外延生长S/Si合金，S原子的外扩散造成合金体中S原子浓度的降低，

7)将衬底芯片置于可移动的真空室中，充入高纯N?至1个大气压，

8)用激光带产生装置