CN102983119B Soi上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102983119B

(45)授权公告日2015.08.26

(21)申请号201210474410.0

(22)申请日2012.11.22

(73)专利权人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人曾成夏金松李丹萍

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

第1-22行，附图7.

US5369050A,1994.11.29,说明书第8栏第56行-第10栏第17行，附图6A-6D.

审查员祁恒

42201

代理人李智

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

GO3F9/00(2006.01)

(56)对比文件

US6888989B1,2005.05.03,说明书第11栏

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采