CN102983173A 具有槽型结构的应变nmosfet及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102983173A

(43)申请公布日2013.03.20

(21)申请号201210551776.3

(22)申请日2012.12.18

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展

(74)专利代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124

代理人刘世平

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法

(57)摘要

CN102983173A本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，