CN102938405A 一种B4flash器件及其制作方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102938405A

(43)申请公布日2013.02.20

(21)申请号201210432508.X

(22)申请日2012.11.02

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人田志顾经纶

(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人竺路玲

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2006.01)

HO1L21/8247(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种B4-flash器件及其制作方法

(57)摘要

CN102938405A本发明提供的一种B4-flash器件及其制作方法，包括在衬底和依次在衬底上形成的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层包括沿沟道方向依次分布的第一段、第二段和第三段，所述第一段、第二段和第三段的厚度比为1.5~2.5:0.8~1.2:1.5~2.5。本发明的实施例通过非均匀的氧化硅结构，来缓解氧化硅的退化，

CN102938405A

CN102938405A权利要求书1/1页

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1.一种B4-flash器件，其特征在于，包括衬底和依次在衬底上形成的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层包括沿沟道方向依次分布的第一段、第二段和第三段，所述第一段、第二段和第三段的厚度比为1.5~2.5:0.8~1.2:1.5~2.5。

2.如权利要求1所述的B4-flash器件，其特征在于，所述第一段、第二段和第三段的厚度比为2:1:2。

3.如权利要求1所述的B4-flash器件，其特征在于，所述第一段、第二段和第三段的长度比为0.8~1.2:2.5~3.5:0.8~1.2。

4.如权利要求3所述的B4-flash器件，其特征在于，所述第一段、第二段和第三段的长度比为1:3:1。

5.如权利要求1或2所述的B4-flash器件，其特征在于，所述第一氧化硅层的第一段的厚度为1~4nm。

6.如权利要求5所述的B4-flash器件，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为5~20nm。

7.一种如权利要求1所述的B4-flash器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1,在衬底上形成氧化硅层，通过刻蚀形成所述第一氧化硅层；

步骤2,在所述第一氧化硅层上依次形成所述氮化硅层和第二氧化硅层。

8.如权利要求7所述的B4-flash器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤3:通过刻蚀和离子注入形成栅极。

CN102938405A说明书1/3页

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一种B4-flash器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种器件及其制作方法，尤其涉及一种适用于B4-flash编译和空穴隧穿注入擦除的器件及其制作方法。

背景技术

[0002]对于NOR闪存记忆单元，最重要的限制其尺寸继续缩减的是门极长度的缩短。这主要是由于沟道热电子(CHE)注入编译方式要求漏端有一定的电压，而这个电压对源漏端的穿透有很大的影响，对于短沟道器件沟道热电子(CHE)方式不适用。另外一个问题是与NAND和AND数据存储器件相比，这限制了NOR闪存的编译产量。

[0003]最近，ShojiShukuriet.al提出了一种新颖的利用衬底偏压协助的带到带的隧穿引起的热电子(B4-flash)来进行编译的P沟道记忆单元(“60nmNORFlashMemoryCellTechnologyUtilizingBackBiasAssistedBand-to-BandTunnelingInducedHot-ElectronInjection(B4-Flash)”,2006SymposiumonVLSITech