CN102881650B 一种双大马士革结构的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102881650B公告日2017.12.15

(21)申请号201210405324.4审查员温菊红

(22)申请日2012.10.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN102881650A

(43)申请公布日2013.01.16

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人姚嫦娲

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图7页

(54)发明名称

一种双大马士革结构的制作方法

(57)摘要

CN102881650B本发明提供一种双大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在介质层上淀积沟槽介质膜，并平坦化沟槽介质膜；在沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。因此，通过本发

CN102881650B

在族上依次结积介质检氯化牌和介愤2

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徐布第一光刻珍，经原光和显崇，形成通孔刻使照形

经测蚀去收，在脊质层上形成通孔

采用化学气和次积法在奔质层上绽积沟相夯质额

家用化华机放购来法将沟指奇旗侦平坦化

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涂布第二刘胶，经橙光和显影，形成沟模支蚀图形

纷刻能去度，瑶成沟竹

梁时资离子体字法姆蚀暴露的中网停北层氮化膜和会质阻体层氮化澳

在通孔和海悟内悠金稿

采用化学机旅平田化法去除的悟介质膜表面多的金候

CN102881650B权利要求书1/1页

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1.一种双大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1:在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层，所述的介质层的结构从下往上依次为通孔介质膜和中间停止层氮化膜；

步骤S2:在所述的介质层上涂布第一光刻胶，经曝光和显影，在所述的第一光刻胶上形成通孔刻蚀图形；

步骤S3:利用所述的通孔刻蚀图形刻蚀所述的介质层并停止于所述介质阻挡层氮化膜表面，在所述的介质层中形成通孔；

步骤S4:在所述的介质层上淀积沟槽介质膜；

步骤S5:将所述的沟槽介质膜平坦化；

步骤S6:在所述的沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经曝光和显影，在所述的第二光刻胶上形成沟槽刻蚀图形；

步骤S7:用所述的沟槽刻蚀图形刻蚀所述的沟槽介质膜，在所述的沟槽介质膜上形成沟槽；

步骤S8:刻蚀去除暴露在所述沟槽底部的所述中间停止层氮化膜和所述通孔底部的所述介质阻挡层氮化膜，以暴露出所述通孔底部的所述衬底以及所述沟槽底部的所述介质层；

步骤S9:在所述沟槽和所述通孔内填充金属。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的沟槽介质膜将所述的介质层表面完全覆盖，其中，所述的介质层表面为带有所述通孔的表面。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的沟槽介质膜是采用化学气相沉积法淀积的。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积法淀积所述的沟槽介质膜，沉积温度范围为200-500℃。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用等离子体干法刻蚀所述的介质层、所述的沟槽介质膜、所述的中间停止层氮化膜和所述介质阻挡层氮化膜。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S5所采用的方法为化学机械抛光法。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔介质膜和所述的沟槽介质膜是氧化膜。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔介质膜和所述的沟槽介质膜是低K值介电材料。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟槽深度为步骤S5中所述平坦化后的沟槽介质层的厚度。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S9中还包括采用化学机械平坦化法去除所述沟槽介质膜表面多余的金属。

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