CN102779855A 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法 （哈尔滨理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102779855A

(43)申请公布日2012.11.14

(21)申请号201210232866.6

(22)申请日2012.07.06

(71)申请人哈尔滨理工大学

地址150040黑龙江省哈尔滨市南岗区学府

路52号124信箱

(72)发明人王玥王东兴王长昊梅金硕田晓华刘倩贺训军

(74)专利代理机构哈尔滨东方专利事务所23118

代理人陈晓光

(51)Int.CI.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L21/34(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法

(57)摘要

CN102779855A双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板(1),所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层(2),所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层(3),所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘A1薄膜层(4),所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层(5)。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的

CN102779855A

CN102779855A权利要求书1/1页

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1.一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板，其特征是：所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层，所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道Zn0薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层，所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层。

2.根据权利要求1所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其特征是：所述的导电沟道ZnO薄膜层的厚度为120±20nm,所述的栅极半绝缘A1薄膜层的厚度为20±10nm,所述的源极Ag薄膜层的厚度为50nm。

3.一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：本制作方法采用垂直叠层结构，由五层薄膜构成，分别为沉积在基底上的源极Ag薄膜，Ag薄膜上面是导电沟道Zn0薄膜，中间一层是栅极半绝缘Al薄膜，Al薄膜上面是导电沟道Zn0薄膜，最上面是漏极Ag薄膜，Ag和Zn0接触面形成了肖特基接触，Al和Zn0接触面形成了欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：基底材料为石英玻璃，源漏电极为金属Ag薄膜，采用纯度为99.99%的Ag靶材，在真空度为6.0×10-4Pa、氩气流量为5.0sccm条件下利用直流磁控溅射镀膜15s;栅极电极为金属A1薄膜，采用纯度为99.99%的A1靶材，利用与制备源漏电极薄膜相同的工艺条件，溅射镀膜20s;栅极分别与漏极和源极之间夹着有源层Zn0薄膜，使用射频磁控溅射，溅射功率为150W,温度为27oC,抽真空6.0×10-4PA,氩气流量5.0sccm,磁控室充入氩气后磁控室的压强1.0Pa,磁控室Zn靶材辉光之后充入氧气，氧气流量为2.6sccm,通入氩气和氧气之后磁控室压强为1.6Pa;预溅射10分钟后除去Zn靶材表面的污染物，获得的Zn0薄膜厚度为120±20nm。

5.根据权利要求3或4所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：在源极Ag加以正向偏压VDS时，源极金属Ag薄膜层的电子正向注入它上面一层Zn0薄膜层，由于栅极A1和下层Zn0薄膜层及上层ZnO薄膜形成欧姆接触，零偏电压时，在上层Ag和Zn0接触面形成的肖特基结的内建电势作用下，使得源极注入到Zn0中的电子隧穿栅极A1,形成漏极电流；在由Ag薄膜构成的漏极和源极间加以VDS偏压时，随漏源极电压增加，靠近源极一侧的Ag和Zn0接触面肖特基势垒降低，从而越过势垒的电子数目增多，流过漏源电极电流IDS随之增大；通过施加不同的栅极电压，可以实现对漏源电流的控制。

CN102779855A说明书