CN102800541B 一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件及其制作方法 （南京萨特科技发展有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102800541B

(45)授权公告日2014.12.10

(21)申请号201210277104.8

(22)申请日2012.08.06

(73)专利权人南京萨特科技发展有限公司

地址210049江苏省南京市栖霞区马群科技

园青马路6号

(72)发明人刘明龙南式荣杨漫雪徐松宏

(74)专利代理机构南京知识律师事务所32207代理人卢亚丽

(51)Int.CI.

HO1H85/046(2006.01)

HO1H69/02(2006.01)

HO5K3/32(2006.01)

(56)对比文件

CN102013368A,2011.04.13,说明书第2-81段及附图1-2.

CN102194615A,2011.09.21,说明书第40-48段及附图1-8.

CN1159249A,1997.09.10,说明书第3页第3段、第8页第2-3段及附图1-16.

审查员钱玉萍

权利要求书2页说明书5页附图6页

(54)发明名称

一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件及其制作方法

(57)摘要

CN102800541B本发明涉及一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件及制作方法，该元件的陶瓷基板上设有一冲压沟槽，冲压沟槽内通过厚膜印刷工艺填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料，所述的填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的陶瓷基板上堆叠熔体层，使得所述电极图形位于填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的冲压沟槽的正上方，所述已具有熔体层的陶瓷基板上再堆叠另一陶瓷基板，两个陶瓷基板的冲压沟槽部分位于同一垂直平面，使所述熔体层位于填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的冲压沟槽部分之间，采用具有极

CN102800541B

CN102800541B权利要求书1/2页

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1.一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件，包括第一陶瓷基板、第二陶瓷基板，设置在第一、第二陶瓷基板之间的熔体层和第一、第二陶瓷基板两端的端电极，所述的熔体层是由LTCC陶瓷膜片和电极图形组成的，所述的电极图形包括引出电极和熔断体两部分，所述的端电极分别与两个引出电极电性相连，其特征在于：所述第一、第二陶瓷基板在朝向熔体层一侧的表面上设有沟槽，所述沟槽内填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料，所述第一、第二陶瓷基板的沟槽部分位于同一垂直平面，所述熔体层中的电极图形位于第一陶瓷基板沟槽的正上方，且电极图形与沟槽之间均被LTCC陶瓷膜片隔开。

2.根据权利要求1所述的一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件，其特征在于：所述的熔体层的电极图形采用单层结构，熔体层由两层LTCC陶瓷膜片和两层LTCC陶瓷膜片之间的电极图形组成；或者所述的熔体层的电极图形采用多层并联结构，熔体层由两层以上的LTCC陶瓷膜片和各个LTCC陶瓷膜片之间的电极图形组成；或者所述的熔体层的电极图形采用多层串联结构，熔体层由至少四层的偶数层数的LTCC陶瓷膜片和各个LTCC陶瓷膜片之间的电极图形组成，在中间各层LTCC陶瓷膜片间有导电浆料。

3.一种低温共烧陶瓷堆叠保护元件的制作方法，其特征在于：该方法包括：

1)制备造孔剂浆料、LTCC陶瓷浆料和LTCC多孔陶瓷浆料；

2)用无造孔剂材料的LTCC陶瓷浆料流延成LTCC陶瓷膜片，LTCC陶瓷膜片堆叠出陶瓷基板，在陶瓷基板上面贯穿基板长轴方向制作有沟槽，将上述得到的LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料填充到沟槽内，并进行干燥；

3)再在上述未堆叠的LTCC陶瓷膜片上印刷电极图形，所述电极图形包括保护元件的引出电极和熔断体两部分，由LTCC陶瓷膜片和电极图形组成熔体层；在上述填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的陶瓷基板上堆叠上述熔体层，使电极图形恰好位于填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的沟槽上方；然后将填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的另一陶瓷基板继续堆叠至已具有所述电极图形的陶瓷基板上方，两个陶瓷基板的沟槽部分位于同一垂直平面，使所述电极图形的熔断体部分位于填充有LTCC多孔陶瓷浆料或造孔剂浆料的沟槽部分之间；

4)将堆叠好的陶瓷基板切割成保护元件生坯，经烧制形成保护元件，最后在保护元件产品两个端头涂敷端电极，并使其与产品内部熔体层的电极图形中的两引出电极部分形成电性连接。

4.根据权利要求3所述的一种