Sn^(4+)、Nb^(5+)共掺BNT-SBT陶瓷的储能特性及其稳定性.pdfVIP

电子元件与材料第44卷第4期4月2025年

ElectronicComponentsandMaterialsVol.44No.4Apr2025

4+5+

-

Sn、Nb共掺BNTSBT陶瓷的储能特性

及其稳定性

11111,2

肖齐龙,刘洋,黄椿,吴文娟,曾体贤

(1.成都信息工程大学光电工程学院,四川成都610225;2.达州产业技术研究院,四川达州635000)

摘要:面向下一代脉冲功率电容器,BNT基陶瓷凭借高储能密度和环保性成为理想电介质,但其在极端工况下的温

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频稳定性不足限制了其应用。采用固相法制备0.6(NaBi)TiO0.4(SrBi)TiOx%SnNbO(BNTSBTx%SN,

0.50.530.70.2327

4+5+

=

其中x0.2~1.2)陶瓷,研究Sn/Nb共掺对结构、介电、铁电和应变性能的影响,探究其储能特性及其稳定性。

4+5+

结果表明,所有样品为钙钛矿结构,适量掺杂(x0.6)时Sn/Nb进入晶格引起晶胞收缩,过量掺杂则析出BiTiO

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杂相。异价离子共同占位形成的局域随机场破坏铁电长程有序,形成弱耦合极性纳米微区(PNRs),诱发强弛豫

=-+

(1.89γ2.07)。优化组分为x0.4时,材料在30~300℃展现优异的介电稳定性(15%Δε/εrr(150℃)5%),同

32

===

时获得最高储能密度W0.8048J/cm(ΔP26.23μC/cm)和效率η81.06%。稳定性测试表明,该组分在30~1

180℃温域内W变化15%