CN103342333A 基于cmos dptm工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法 （江苏物联网研究发展中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103342333A

(43)申请公布日2013.10.09

(21)申请号201310287883.4

(22)申请日2013.07.09

(71)申请人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座4楼

(72)发明人孟如男王玮冰

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所

32104

代理人殷红梅

(51)Int.CI.

B81BB81C

GO1J

7/00(2006.01)1/00(2006.01)

5/14(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图12页

(54)发明名称

基于CMOSDPTM工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法

(57)摘要

CN103342333A本发明涉及一种基于CMOSDPTM工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法，包括硅基底和位于硅基底上的封闭膜区域，其特征是：封闭膜区域自底层向上依次为第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层，在介质层之间设置第一多晶硅层和第二多晶硅层，在第二介质层和第三介质层之间设置第一金属层，在第三介质层和第四介质层之间设置第二金属层，在第四介质层的表面设置第