CN103364467B 基于凡士林的微电极阵列及其制作方法 （首都师范大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103364467B告日2015.10.28

(21)申请号201310308645.7

(22)申请日2013.07.22

(73)专利权人首都师范大学

地址100048北京市海淀区西三环北路105

号

(72)发明人林雨青尹璐徐亚男高月磊

(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限

公司11245代理人关畅

(51)Int.CI.

GO1N27/30(2006.01)

审查员郑瑜

公(56)对比文件

公

CN101804960A,2010.08.18,全文.

CN103101878A,2013.05.15,全文.

CN1837808A,2006.09.27,全文.

US20110125001A1,2011.05.26,全文.

US5468366A,1995.11.21,全文.

权利要求书2页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于凡士林的微电极阵列及其制作方法

(57)摘要

CN103364467B本发明公开了一种基于凡士林的微电极阵列及其制作方法。该方法，包括如下步骤：将玻碳电