CN103779667A 一种结构型吸波材料及其制作方法 （国家纳米科学中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103779667A

(43)申请公布日2014.05.07

(21)申请号201410047908.8

(22)申请日2014.02.11

(71)申请人国家纳米科学中心

地址100190北京市海淀区中关村北一条

11号

(72)发明人董凤良徐丽华宋志伟褚卫国

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人巩克栋侯桂丽

(51)Int.CI.

HO1Q

HO5K

17/00(2006.01)9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种结构型吸波材料及其制作方法

(57)摘要

CN103779667A一种在硅衬底材料上制作的吸波材料及其制备方法，所述方法包括：在衬底上沉积一层金属膜；然后采用ICPECVD沉积含硅层；旋涂电子束光刻胶，曝光光刻胶，形成周期结构的光刻胶图形；再沉积一层金属膜并进行剥离，最终形成金属膜/含硅介质层/具周期结构的金属膜的吸波材料。本发明提供的方法简单可行，可以通过调整周期

CN103779667A

CN103779667A权利要求书1/1页

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1.一种在硅衬底材料上制作吸波材料的方法，包括如下步骤：

1)在衬底上制备金属膜；

2)采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积技术生长含硅层；

3)烘烤后旋涂电子束正性光刻胶，再烘烤；

4)对光刻胶曝光并显影后，得到电子束正性光刻胶周期结构图形；

5)采用电子束蒸发沉积金属膜；

6)利用剥离工艺得到具有金属膜/含硅介质层/具周期结构的金属膜结构的吸波材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述衬底经过如下处理：

1)将硅衬底放入丙酮溶液中，超声清洗5-10min;

2)取出衬底放入异丙醇中超声清洗5-10min;

3)取出衬底用去离子水清洗干净，使用氮气枪将衬底吹干；

4)将衬底放入HF和去离子水的混合液中；

5)取出后用去离子水清洗干净，并吹干。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)和步骤5)中所述金属为Ti和/或Au;

优选地，所述制备金属膜的方法通过溅射和/或电子束蒸发工艺得到。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)和步骤5)所述金属膜的厚度为保证电磁波不透过，优选为不低于200nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述含硅层为SiO?膜和/或Si?N?膜；

优选地，所述含硅层的厚度根据波吸收的频段而定，优选为15-35μm,进一步优选为25μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述烘烤通过热板和/或烘箱完成；

优选地，旋涂电子束正性光刻胶前烘烤的温度为150-200℃,优选180℃;使用热板烘烤的时间为4-15min,优选为5-10min;

优选地，旋涂电子束正性光刻胶后烘烤的温度为150-200℃,优选180℃;使用热板烘烤的时间为1-10min,优选为2min,使用烘箱烘烤的时间为10min以上，优选为10-60min。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述电子束正性光刻胶为ZEP520A和/或PMMA。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)对光刻胶曝光并显影通过电子束直写技术和/或紫外光刻完成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)所述剥离工艺为：使用除胶剂，并加适当超声进行；

优选地，所述除胶剂为丁酮。

10.一种吸波材料，其特征在于，所述吸波材料通过权利要求1-9任一项所述方法制备。

CN103779667A说明书1/5页

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一种结构型吸波材料及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于吸波材料领域，尤其涉及一种吸收频率可调控的结构型吸波材料及其制作方法。

背景技术

[0002]吸波材料是指能吸收、衰减入射的电磁波并将其电磁能转换成热能耗散掉或使电磁波因干涉而消失的一类材料。它通过材料的各种不同的损耗机制将人射电磁波转化成热能或者是其它能量形式而达到吸波隐身的目的。随着信息技术的飞速发展，电磁波辐射污染已经困扰着国民生产、生活