CN104409352A 嵌入式锗硅器件的制作方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104409352A

(43)申请公布日2015.03.11

(21)申请号201410693124.2

(22)申请日2014.11.26

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江开发区高

斯路568号

(72)发明人鲍宇周军朱亚丹

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人王宏婧

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

嵌入式锗硅器件的制作方法

在一半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极在所述半导体衬底上由内到外依次形成围绕在栅极和栅极

在一半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极

在所述半导体衬底上由内到外依次形成围绕在栅极和栅极介电层的两侧的第一侧墙和第二侧培

以所述糊极、第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀所述半导

体衬底的源漏区以形成第一四槽；

去除第二制培，并以所述栅板和第一侧墙为掩膜，刻蚀第

一凹槽以皮去