CN104241141A 一种用于制作嵌入式硅锗应变pmos器件的方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104241141A

(43)申请公布日2014.12.24

(21)申请号201410509890.9

(22)申请日2014.09.28

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人曾绍海李铭易春艳

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/20(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法

步骤一：提供一平面半导体基底，在所述半导体基底

步骤一：提供一平面半导体基底，在所述半导体基底上依次形成硅锗合金层和单晶硅层

2

步骤二：形成浅沟槽隔离、栅极及侧墙，所述浅沟槽隔离停留在所述半导体基底

3

步骤三：形成PMOS源漏凹槽，所述源漏凹槽停留在所述硅锗合金层

步骤四：在所述源漏凹槽内继续