CN104409493A 基于t形栅漏复合场板的异质结器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104409493A

(43)申请公布日2015.03.11

(21)申请号201410658903.9

(22)申请日2014.11.18

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维佘伟波葛安奎杨翠马京立郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/778(2006.01)29/40(2006.01)21/335(2006.01)21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图3页

(54)发明名称

基于T形栅-漏复合场板的异质结器件及其制作方法

(57)摘要

CN104409493A本发明公开了一种基于T形栅-漏复合场板的异质结器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层(8)内刻有栅槽(9)和漏槽(10),钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有T形栅场板(11)和T形漏场板(12);T形栅场板(11)与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在栅槽(9)内；T形漏场板(12)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。本发明

CN104409493A

保护层13

保护层13

T形漏场板12

钝化层8

兰特基漏极5

势垒形

台面6

过渡层2

树底

T形概场板11

擂槽?

漏槽10

职极4

CN104409493A权利要求书1/2页

2

1.一种基于T形栅-漏复合场板的异质结器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(13),势垒层的上面淀积有源极(4)、肖特基漏极(5)及栅极(7),势垒层的侧面刻有台面(6),且台面深度大于势垒层厚度，其特征在于：

钝化层(8)内刻有栅槽(9)和漏槽(10);

钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有T形栅场板(11)和T形漏场板(12);

所述T形栅场板(11)与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在栅槽(9)内；

所述T形漏场板(12)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。

2.根据权利要求1所述的基于T形栅-漏复合场板的异质结器件，其特征在于栅槽靠近栅极，漏槽靠近肖特基漏极，栅槽的深度s?与漏槽的深度s2相等，且均为0.43~11.4μm,栅槽的宽度b?与漏槽的宽度b?相等，且均为0.81～10.2μm;栅槽的底部与势垒层之间的距离d?和漏槽的底部与势垒层之间的距离d2相等，且均为0.098～1.74μm。

3.根据权利要求1所述的基于T形栅-漏复合场板的异质结器件，其特征在于T形栅场板靠近肖特基漏极一侧边缘与栅槽靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离c?为0.98~12.2μm;T形漏场板靠近栅极一侧边缘与漏槽靠近栅极一侧边缘之间的距离c?为0.98~12.2μm;所述的T形栅场板靠近肖特基漏极一侧边缘与T形漏场板靠近栅极一侧边缘之间的距离L为1～9μm。

4.根据权利要求1所述的基于T形栅-漏复合场板的异质结器件，其特征在于栅槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离a?和漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘与肖特基漏极靠近栅极一侧边缘之间的距离a?相等，栅槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离a?为s?×(d?)?.5,其中s?为栅槽的深度，d?为栅槽底部与势垒层之间的距离；漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘与肖特基漏极靠近栅极一侧边缘之间的距离a2为s?×(d?)?.5,其中s?为漏槽的深度，d?为漏槽底部与势垒层之间的距离。

5.根据权利要求1所述的基于T形栅-漏复合场板的异质结器件，其特征在于衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅材料。

6.一种制作基于T形栅-漏复合场板的异质结器件的方法，包括如下步骤：

第一步，在衬底(1)上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成过渡层(2);

第二步，在过渡层上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成势垒层(3);

第三步，在