CN104181203A 一种mems气体传感器及其制作方法 （苏州能斯达电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN104181203A布日2014.12.03

(21)申请号201410397034.9

(22)申请日2014.08.13

(71)申请人苏州能斯达电子科技有限公司

地址215123江苏省苏州市工业园区若水路

398号C517

(72)发明人祁明锋张斑沈方平刘瑞丁海燕谷文

(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202

代理人郝传鑫

(51)Int.CI.

GO1N27/00(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种MEMS气体传感器及其制作方法

(57)摘要

CN104181203A本发明涉及气体检测技术领域，具体涉及一种MEMS气体传感器，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且向下具有厚度；绝热槽，倒扣形成于单晶硅衬底的下表面，绝热槽底面位于多孔硅层的正下方，绝热槽包括一个或多个沟槽组；下绝缘层，覆盖多孔硅层及单晶硅衬底的上表面，下绝缘层由下到上依次包括第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；