CN104157690B 一种带槽型结构的应变nldmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104157690B公告日2017.05.10

(21)申请号201410401006.X

(22)申请日2014.08.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104157690A

(43)申请公布日2014.11.19

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心51203

代理人李明光

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN101819998A,2010.09.01,

US2010/0314670A1,2010.12.16,US2012/0303014A1,2012.12.06,

审查员张玉萍

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种带槽型结构的应变NLD