CN104165715A 一种压力传感器制作方法及其结构 （上海芯敏微系统技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104165715A

(43)申请公布日2014.11.26

(21)申请号201310185138.9

(22)申请日2013.05.17

(71)申请人上海芯敏微系统技术有限公司

地址200051上海市长宁区天山路641号20

幢302A室

(72)发明人熊斌徐德辉王跃林

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人李仪萍

(51)Int.CI.

GO1L1/18(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种压力传感器制作方法及其结构

(57)摘要

CN104165715A本发明提供一种压力传感器制作方法及其结构，至少包括以下步骤：提供一硅衬底以及另一硅片结构；采用键合方法，将该硅片结构封在硅衬底的压力腔定位环上；硅片结构的氧化硅层与硅衬底接触；通过化学机械减薄方法将该顶层硅减薄抛光至所需厚度；在顶层硅上、压力腔定位环围成的区域内制作压阻及金属引线；在所述硅衬底背面形成与压力腔定位环横截面图形相同的压力导入开口图形；用深反应离子刻蚀方法，利用压力导入开口图形形成通道，并使得该通道与压力腔区域贯通，从而释放悬浮薄膜