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微电子学资料part1 2006 Course_Process_Flow.pdfVIP

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  • 2026-03-19 发布于浙江
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微电子学资料part1 2006 Course_Process_Flow.pdf

    0.18mDualGateProcessFlow

    INITIALOXIDENITRIDEDEP

    Initialox:

    450+/-50Å,dryoxidation

    Oxidestrip:

    Padox:

    100+/-10Å

    oxidationat800ºC

    Nitride:

    2000+/-150Å

    2000ÅNitride

    100ÅPADOxide

    1

    0.18mDualGateProcessFlow

    NITRIDEETCH

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