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微电子学资料gate_4.pdfVIP

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  • 2026-03-19 发布于浙江
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微电子学资料gate_4.pdf

    5.Boronpenetrationandnitridedoxide

    +

    5.1BoronPenetrationinp-polyPMOSFET

    +

    ❑n-polysiliconhasbeenusedasagateelectrodeforbothn-andp-MOSFETuntilthe

    designruleisaround0.3mforthesimplicityofprocess.

    +

    ❑However,n-polysilicongateinpMOSrequirescounterdopingofthechannelregion

    (boronimplantationton-well)toobtainthereasonablethresholdvoltage,which

    resultsinburiedchanneldeviceoperationandpoorpunch

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