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- 2026-03-19 发布于浙江
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Chapter1:SiliconOxidation
1.GrowthMechanismKinetics
▪Deal-Groovemodel
2.OxidationRate
▪Orientationdependence
▪Wetversusdryoxidation
▪Dopanteffects
3.OxideProperties
▪Density,Stresseffects
▪DopantRe-distribution
▪Oxidecharges,Q,Q,Q,Q
OTITfM
4.OxidationTechnique
1
1.GrowthMechanismandKinetics
❑Becauseasiliconsurface
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