原创力文档摘要
摘要
短波红外探测器作为光电子技术的核心器件，在光信息传输、光谱分析与智能感
知领域具有不可替代的作用。硅(Si)基半导体凭借其全球储量优势及高度完善的微纳加
工体系，长期占据集成电路产业的主导地位，其卓越的机械稳定性与载流子迁移特性
更巩固了其在光电集成领域的战略地位。与此同时，铟镓砷(InGaAs)三元化合物凭借在
0.9-1.7μm光谱范围内展现的量子效率优势与低暗电流特性，已成为近红外光电器件研
发的前
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短波红外探测器作为光电子技术的核心器件，在光信息传输、光谱分析与智能感
知领域具有不可替代的作用。硅(Si)基半导体凭借其全球储量优势及高度完善的微纳加
工体系，长期占据集成电路产业的主导地位，其卓越的机械稳定性与载流子迁移特性
更巩固了其在光电集成领域的战略地位。与此同时，铟镓砷(InGaAs)三元化合物凭借在
0.9-1.7μm光谱范围内展现的量子效率优势与低暗电流特性，已成为近红外光电器件研
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