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集成电路抗辐射多节点翻转的锁存器设计研究.pdf

集成电路抗辐射多节点翻转的锁存器设计研究.pdf

    摘要

    摘要

    集成电路的飞速发展极大地推动了航天电子技术的进步，但工艺水平的不断

    提升也加剧了由节点翻转引发的软错误问题。当辐射环境中的高能粒子轰击存储

    模块电路时，粒子入射轨迹产生的电荷会被电路敏感节点收集，引起节点电压瞬变，

    导致节点翻转。而随着工艺尺寸的缩减和供电电压的降低，电路节点存储的电荷量

    减少，这使得较小的电荷就可能改变电路节点的逻辑状态。此外，芯片集成度的提

    高使得电路节点间距缩小，在电荷共享效应下，电路节点愈

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