Cu、Ag掺杂ZnO薄膜结构与磁性的多维度解析
一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体材料的大家族中,氧化锌(ZnO)凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景,成为了材料科学领域的研究热点之一。ZnO是一种II-VI族化合物半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,属于六方晶系,空间群C6v4(P63mc)。其室温下的禁带宽度为3.37eV,激子结合能高达60meV,这一特性使得ZnO在室温甚至高温下能够实现高效的激子复合发光,为短波长发光器件的发展提供了理想的材料基础。例如,在紫外激光二极管的制造中,ZnO的高激子结合能保证了在室温下也能有高效的发光效率,使其在紫外光
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