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- 2026-04-22 发布于湖北
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导论
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THz波的产生方法研究的文献综述
作为THz科学与技术的关键,THz电磁辐射波有多种产生方法。虽说近几十年来科研工作者发现了很多的理论和实验室方法来辐射太赫兹波,但可以根据其主要应用特征可以将其分为两种主流类型:宽带脉冲技术和窄频带连续波技术[7]。
一、宽带THz产生源
宽带太赫兹产生源的辐射原理被认为不同材料受超短激光脉冲激励后辐射出的光子学波。其中,宽带一词是按照这个原理指导下受激辐射出的THz辐射波包含了主流的太赫兹频域。宽频带THz辐射源的具体辐射技术有:PC开关偶极天线技术、光整流技术和半导体薄膜受激处理技术等。
(1)激光脉冲激发PC天线。这种方法是实验室产生THz波的常用的方法。本文也是主要采用了此种方法进行模拟仿真。这种方法的原理是利用半导体材料在微观载流子层面上提供的瞬间电流,同时使用外部电子器组成回路,由金属电极连接给PC半导体外加偏压,从而能够作为辐射天线。脉冲激光泵浦半导体材料或超材料所使用光子的能量大于半导体材料的禁带宽度时,例如新兴天线材料——低温砷化镓(LT-GaAs),此种材料具备很高的组电阻率且光生载流子寿命很短。在PC开关材料的半导体性能上,材料中会成对的产生载流子——电子-空穴对,受激发的自由载流子在外加偏压的加速作用下就会辐射出皮秒数量级的THz脉冲[8],其结构示意图如图2所示。随着各种PC半导体材
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