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CN119421406A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421406A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421406A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202310934848.0

    (22)申请日2023.07.27

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人朱文生吕嘉伟刘海龙许奕佳钱红云

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    权利要求书2页说明书9页附图8页

    (54)发明名称

    半导体结构及其形成方法

    (57)摘要

    CN119421406

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