- 3
- 0
- 约1.48万字
- 约 35页
- 2026-04-22 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119421452A
(43)申请公布日2025.02.11
(21)申请号202411596332.0
(22)申请日2024.11.11
(71)申请人安徽芯塔电子科技有限公司
地址241000安徽省芜湖市弋江区芜湖高
新技术产业开发区芜湖科技产业园B3
栋
(72)发明人倪炜江郝志杰
(74)专利代理机构北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)11717
专利代理师张宇锋
(51)Int.Cl.
H10D30/60(2025.01)
H10D30/01(2025.01)
H1
您可能关注的文档
- CN119421258A 信道传输的方法、终端设备和网络设备 (Oppo广东移动通信有限公司).docx
- CN119421264A 信道接入方法及设备 (Oppo广东移动通信有限公司).docx
- CN119421275A 一种电场辐射消除结构、方法及无电场辐射的电热薄膜 (上海德赟电热材料科技有限公司).docx
- CN119421283A 一种led背光源的自适应亮度调节方法 (深圳市威天光电科技有限公司).docx
- CN119421300A 基于光伏技术的城市文旅照明夜景互联控制方法、系统 (深圳市标美照明设计工程有限公司).docx
- CN119421302A 一种多环境区分的公共场所照明智能调控方法 (深圳市世迈光电有限公司).docx
- CN119421305A 结合用户行为分析的照明系统能耗管理方法 (江门市德米士照明科技有限公司).docx
- CN119421312A 汤姆逊散射装置、图谱诊断方法、电子设备及存储介质 (西北师范大学).docx
- CN119421332A 一种线路板生产自动除胶装置及除胶方法 (深圳市科路迪机械设备有限公司).docx
- CN119421342A 一种表面硅烷偶联剂处理的金属、处理方法以及高频高速信号传输基材 (安徽铜冠铜箔集团股份有限公司).docx
- CN119421453A 一种碳化硅阶梯沟槽mosfet及其制造方法 (安徽芯塔电子科技有限公司).docx
- CN119421454A 沟槽功率器件及沟槽功率器件的制备方法 (珠海格力电子元器件有限公司).docx
- CN119421456A 具有良好抗雪崩能力的超结mosfet及其制备方法、芯片 (深圳天狼芯半导体有限公司).docx
- CN119421460A 半导体器件及其制造方法 (芯联集成电路制造股份有限公司).docx
- CN119421473A 一种高可靠平面栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119421474A Igbt器件的内置镇流电阻及其形成方法与igbt器件 (深圳云潼微电子科技有限公司).docx
- CN119421480A 半导体装置结构及其制造方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx
- CN119421486A 半导体装置结构及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx
- CN119421491A 显示基板及其制造方法、显示装置 (京东方科技集团股份有限公司).docx
- CN119421508A 一种空间用远距离激光电池组件阵列设计方法 (上海空间电源研究所).docx
原创力文档

文档评论(0)