《三维集成电路 第13部分:破坏性物理分析方法》标准立项修订与发展报告.docxVIP

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  • 2026-04-27 发布于北京
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《三维集成电路 第13部分:破坏性物理分析方法》标准立项修订与发展报告.docx

《三维集成电路第13部分:破坏性物理分析方法》标准立项修订与发展报告

三维集成电路第13部分:破坏性物理分析方法标准发展报告

EnglishTitle:StandardDevelopmentReportforThreeDimensionalIntegratedCircuits—Part13:DestructivePhysicalAnalysisMethod

摘要

随着半导体技术向三维集成方向演进,三维集成电路(3DIC)已成为突破摩尔定律物理极限、实现更高性能与更低功耗的关键技术路径。然而,三维集成电路复杂的多层堆叠结构、微凸点互连、硅通孔(TSV)及晶圆级封装等新型工艺,对传统集成电路的可靠性评估方法提出了严峻挑战。为应对这一技术需求,国家标准《三维集成电路第13部分:破坏性物理分析方法》(计划号:2025007669)应运而生。本报告系统梳理了该标准的制定背景、技术内容、适用范围及实施意义。标准由全国集成电路标准化技术委员会(TC599)归口,工业和信息化部(电子)主管,主要起草单位包括工业和信息化部电子第五研究所、中国电子技术标准化研究院及浙江清华柔性电子技术研究院。标准规定了三维集成电路破坏性物理分析(DPA)的通用方法,涵盖DPA程序的一般要求、管理要求以及典型三维集成电路DPA试验与分析的详细要求和失效判据,适用于硅通孔结构、芯片堆

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