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《集成电路工艺原理》实验四 高温扩散技术.pdfVIP

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  • 2026-04-30 发布于河北
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《集成电路工艺原理》实验四 高温扩散技术.pdf

    实验四高温扩散技术

    一、概述

    将杂质元素加入到半导体中，通常有三种方法：一•种将杂质原子掺入到基片，并与之

    形成共熔体，即合金法：第二种采用固态扩散，简称扩散法：第三种对杂质进行离化，

    高能离子打入半导体靶材中，称为离子注入。三者相比，扩散法有如下突出的优点：

    （1）可以通过对温度、时间等工艺条件的准确调节，来控制pn结的结深和晶体管

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