摘要
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本文基于密度泛函理论第一性原理计算,系统研究了过渡族金属(Ⅷ族,包
括Pd、Ni、Pt;ⅠB族,包括Cu、Ag、Au)对Ⅲ-Ⅴ//Si太阳能电池关键界面的作用
机制,即GaAs(001)β(2×4)表面,依次从结构稳定性、电学特性及光学响应三个方
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面揭示了过渡族金属对半导体界面的调控机制。
通过吸附能和从头算分子动力学(AIMD)计算来揭示不同过渡
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