摘要
摘要
层状铋氧硫族化合物(BiOX,X=Se/S/Te)因其优异的化学稳定性、高载流
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子迁移率和可调控带隙特性,被视为新一代光电子器件的理想候选材料。其中,
BiOSe凭借其稳定化学势成为最易制备的成员,这种新型二维半导体材料兼具
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高载流子迁移率、适宜带隙(~0.8eV)以及出色的环境稳定性,在紫外-近红外
光电子器件领域展现
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