CN119496038A 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 （常州纵慧芯光半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119496038A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311033314.7

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司

地址213000江苏省常州市武进国家高新

技术产业开发区凤翔路7号

(72)发明人刘嵩梁栋丁维遵翁玮呈张成

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师黄立伟

(51)Int.Cl.

H01S5/183(2006.01)

H01S5/343(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图13页

(54)发明名称

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

(57)摘要

CN119496038A本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。垂直腔面发射激光器的制备方法包括：在衬底上生长具有自下而上依次排布的下反射镜层、有源层和上反射镜层的半导体外延结构，形成晶圆；沉积欧姆金属层，刻蚀半导体外延结构直至暴露出下反射镜层，形成多个沟槽；在各沟槽的侧壁和底部进行离子注入，形成多个绝缘区域；绝缘区域包括与沟槽侧壁接触的侧壁绝缘区，以及与沟槽底部接触的底部绝缘区；侧壁绝缘区的深度大于沟槽的深度；沟槽和绝缘区域共同将半导体外延结构分隔为多个在有源层上相互隔离的半导体单元