CN119497404A 一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 （杭州立昂微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497404A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411912350.5

(22)申请日2024.12.24

(71)申请人杭州立昂微电子股份有限公司

地址310018浙江省杭州市杭州经济技术

开发区20号大街199号

(72)发明人刘伟

(74)专利代理机构杭州宇信联合知识产权代理

有限公司33401

专利代理师梁群兰

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书3页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及其制

造方法

(57)摘要

CN119497404A本发明公开了一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及制造方法，该二极管由下至上包括阴极金属层、衬底，外延层、功能金属层及阳极金属层，外延层中分布台阶状沟槽，该沟槽由上下两个柱形开口构成、且上柱形开口小、下柱形开口大，沟槽内为导电多晶硅，介质层将导电多晶硅与外延层、肖特基势垒区和阳极电极区进行隔离，沟槽底部外延层中还含有离子注入区。本发明的沟槽，上柱形小开口增大了正向导通时可导电面积，降低了正向导通电流密度，减小了正向导通压降，改善正向导通性能；下柱形开口大，