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CN119521901A 一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法 （华南师范大学）.docxVIP

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  • 2026-05-10 发布于山西
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CN119521901A 一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法 （华南师范大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119521901A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202411443291.1

    (22)申请日2024.10.16

    (71)申请人华南师范大学

    地址510631广东省广州市天河区中山大

    道西55号

    (72)发明人尹以安赵亚鑫莫淇予林静静

    (74)专利代理机构广州专理知识产权代理事务所(普通合伙)44493

    专利代理师张凤

    (51)Int.Cl.

    H10H29/10(2025.01)

    H10H29/01(2025.01)

    H10F39/10(2

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