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- 2026-05-12 发布于广东
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深圳市富满电子集团股份有限公司
SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.,LTD.
TC4606(文件编号:SCIC1267)双重增强型MOSFET(N-P沟道)
N沟道P沟道
20V/7A-20V/-5.5A
RDS(ON)=12mtyp.@VGS=4.VRDS(ON)=33mtyp.@VGS=-4.V
Ω()Ω()
RDS(ON)=17mtyp.@VGS=2.5VRDS(ON)=4mtyp.@VGS=-2.5V
Ω()Ω(
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