《汽车电子电工基础》_模拟电子 第5章 半导体器件.pptVIP

三、主要参数（1）跨导gm（2）直流输入电阻RGS（3）漏极饱和电流IDSS（4）漏极最大耗散功率PDM注意：任何时候栅极都不能悬空。表5-2绝缘栅场效应晶体管的特性比较*第五章???半导体器件(3)掺杂：杂质对导电性能的影响一、本征半导体1、?半导体材料：Si(硅)、Ge(锗)、Sn(锡)2、?本征半导体：具有晶体结构的纯净半导体。3、?本征激发：向硅晶体施加热、光或电场4、?影响半导体导电能力的因素(1)加热第一节半导体的基本知识(2)光照两种载流子:电子、空穴半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的三个特性。即：掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。二、两种半导体P型半导体：单晶体硅中掺入三价元素硼或铝空穴是多数载流子N型半导体：单晶硅中掺入五价元素磷、砷等电子为多数载流子掺杂半导体对外不显电性。三、PN结及单向导电性1、