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EBCMOS空间分辨率的影响因素研究.pdf

EBCMOS空间分辨率的影响因素研究.pdf

    摘要

    随着微光夜视技术的发展，电子轰击互补金属氧化物半导体（Electron

    BombardmentComplementaryMetalOxideSemiconductor,EBCMOS）因其具备响应速

    度快、感光灵敏度高、体积小、增益高等显著优势，成为了国内微光夜视领域发展的

    主流方向。目前，国内对EBCMOS的研究主要聚焦于增益和电荷收集效率的提升，

    而对其空间分辨率的研究相对较少。然而，空间分辨率作为EBCMOS的一项关键性

    能指标，直接影响EBCMOS器件的成像质量

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