CN119600968A 一种场序Vth自补偿栅极控制电路及方法 （成都九天画芯科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119600968A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510000301.2

(22)申请日2025.01.02

(71)申请人成都九天画芯科技有限公司

地址610000四川省成都市四川天府新区

兴隆街道集萃路619号天府海创园2-1

栋

(72)发明人张锦张伟伟沈翰宁王东任浩

(51)Int.Cl.

G09G3/36(2006.01)

G09G3/34(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种场序Vth自补偿栅极控制电路及方法

(57)摘要

CN119600968A本发明公开一种场序Vth自补偿栅极控制电路及方法，包括补偿单元包括第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管和预存储电容；第一晶体管的栅极耦接至复位信号线，第一晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线，第一晶体管的第二源漏极耦接至预存储电容的一端，预存储电容的另一端耦接至第四晶体管的第二源漏极，第四晶体管的栅极耦接至设置信号线，第四晶体管的第一源漏极耦接至第二晶体管的第二源漏极，第二晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线，第二晶体管的栅极耦接至第一晶体管的第二源漏极。本发明达到的有益效果是：通过利用晶体管的导通特性剔除阈值电压，从而规避因