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模拟IC期末复习整理资料

集成电路设计导论

一、集成电路的发展

集成电路发展的特点：

特征尺寸越来越小（22nm）

硅圆片尺寸越来越大（8inch~12inch）

芯片集成度越来越大（2000K）

时钟速度越来越高（3000MHz）

电源电压/单位功耗越来越低(1.0V)

布线层数/I/0引脚越来越多（9层/1200）

描述集成电路工艺技术水平的三个技术指标

1.特征尺寸(FeatureSize)/（CriticalDimension）

特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)。减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前的规模化生产是90nm、45nm工艺，Intel目前将大部分芯片生产工艺转换到32nm。

晶片直径(WaferDiameter)

芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前的主流晶圆的尺寸为8英寸，12英寸晶圆已经开始量产。

DRAM的容量

RAM(Random-AccessMemory)－随机存取存储器分为动态存储器DRAM(Dynamic)和静态存储器SRAM(Static)

摩尔定律：集成电路的集成度，即芯片上晶