哈工大 威海 模拟IC期末复习整理资料（精简版）.docVIP

模拟IC期末复习整理资料（精简版）

集成电路设计导论

一、集成电路的发展

集成电路发展的特点：

特征尺寸越来越小（22nm）

硅圆片尺寸越来越大（8inch~12inch）

芯片集成度越来越大（2000K）

时钟速度越来越高（3000MHz）

电源电压/单位功耗越来越低(1.0V)

布线层数/I/0引脚越来越多（9层/1200）

描述集成电路工艺技术水平的三个技术指标

1.特征尺寸(FeatureSize)/（CriticalDimension）

特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)。减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。

晶片直径(WaferDiameter)

DRAM的容量

RAM(Random-AccessMemory)－随机存取存储器分为动态存储器DRAM(Dynamic)和静态存储器SRAM(Static)

摩尔定律：集成电路的集成度，即芯片上晶体管的数目每隔18个月增加一倍或每3年翻两番

集成电路的分类

分类标准

所分类型

器件结构类型

双极集成电路、金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路、双极-MOS(BiMOS)集成电路

集成度

SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI、GSI

使用的基片材料

单片集成电路、混合集成电路

电