哈尔滨工业大学（威海）2005 2006学年春季学期集成电路设计原理AB卷答案.docVIP

哈尔滨工业大学（威海）2005/2006学年春季学期

集成电路设计原理试题卷（A）答案

考试形式（开、闭卷）：闭答题时间：120（分钟）本卷面成绩占课程成绩70%

题号

一

二

三

四

五

六

七

八

卷面

总分

平时

成绩

课程

总成绩

分数

得分

一、填空题（每题1分，共15分）

在MOS电流镜电路中沟道长度选择大一些有利于增大（增大、减小）电流源的输出电阻和减小沟道长度调制效应对输出电流的影响。

在N阱CMOS集成电路中，n阱作为___PMOS_____管的衬底，一般接最高___电位。

NMOS传输门不能很好地传输____高________电平,其W/L越大，导通电阻越小，传输速度越快。

有比电路是指输出低电平与输入管和负载管的宽长比___之比有关。

集成电路中的元器件因为要做在同一衬底上，因此不同于分离器件，会存在寄生效应。

写出考虑沟道调制效应时MOS管工作在饱和区的漏极电流公式

采用全定制(full-custom)方法设计的集成电路集成度高（高、低），适用于通用（通用、专用）集成电路芯片的设计。

一个Dac工作时的参考电压为V