微电子器件可靠性 第8章使用可靠性08.pptVIP

*7.防辐射应用辐射环境:空间辐射宇宙射线，来自银河系和太阳系的某些星球内辐射带：距地面600～6000km，高能质子（～100MeV，影响中低轨道卫星）外辐射带：距地心2万km，高能电子（20keV~1.6MeV)，影响高轨道卫星累计效应为主：总剂量，rad(Si)*7.防辐射应用辐射环境:核辐射核爆炸环境和核动力环境快中子流：能量0.5MeV,辐射有效半径1km～几十kmγ射线：能量～1MeV,辐射有效半径3km～几百km热电磁脉冲：电场105V/m，磁场102A/m，f=10kHz~100MHz，脉冲间隔10～30ns瞬态效应为主：剂量率，rad(Si)/s*7.防辐射应用辐射物理效应:电离辐射使晶格原子电离→自由电子、带电离子γ射线显著：光电效应引入表面缺陷氧化层正电荷Si-SiO2界面陷阱氧化层表面可动离子半永久性损伤和瞬时损伤*7.防辐射应用辐射诱发失效双极器件(对中子辐射敏感)二极管：正向动态电阻↑，反向击穿电压↑,漏电流↑放大管：电流放大系数↓，饱和压降↑开关管：上升时间↑,存储时间和下降时间↓,低电平阈值↑MOS器件(对电离辐射敏感）阈值电压漂移跨导退化隔离结漏电流单粒子引起误触发*4.防浪涌应用断开感性负载时产生的浪涌电压开关