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GB/T44937-2:2025辐射发射测量：TEM小室和宽带TEM小室法

目录02TEM小室法原理01标准概述03宽带TEM小室法介绍04测量步骤规范05结果分析与验证06应用与维护

标准概述01

标准背景与制定目的电磁兼容需求驱动随着集成电路向高频高密度发展，电磁干扰问题日益突出，本标准旨在解决传统辐射发射测量方法精度不足、适配性差的问题，为行业提供统一测试依据。产业升级支撑通过规范TEM小室法的测量流程，促进集成电路设计优化和工艺改进，从源头降低电磁发射水平，助力产业高质量发展。国际标准接轨等同采用IEC61967-2:2005国际标准，推动国产集成电路测试技术与国际接轨，消除贸易技术壁垒，提升产品国际竞争力。

适用范围与对象针对各类集成电路芯片、模块及封装结构，特别适用于引脚数量多、工作频率高的数字集成电路。明确标准适用于150kHz至1GHz频段的辐射发射测量，覆盖集成电路典型工作频段及谐波干扰。规定在屏蔽室内使用TEM小室或宽带TEM小室进行测量，确保环境噪声低于限值6dB以上。不适用于尺寸超过小室物理限制的大型器件，以及需要特殊偏置条件的功率集成电路。适用频率范围被测器件类型测试环境要求排除场景说明

关键术语定义TEM小室详细定义横向电磁波传输室的结构特征，包括矩形同轴结构、50Ω特性阻抗要求及场均匀性验证方法。辐射发射量值明确以dBμV/m为单位的电场强度量化