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CdS半导体光催化剂的研究文献综述

1.1CdS半导体催化剂的研究背景

金属半导体化合物作为光解水产氢系统的催化剂，自1972年TiO2的发现与研究而拉开帷幕。TiO2具有较高的禁带宽度，因此其对太阳光中的紫外线利用率较高，但可见光区域应用得很不理想。太阳光中可见光的比重较紫外线与红外线来说并不是一小部分，科学家开始寻找其他同样可用于光解水产氢气的金属半导体，在对可见光的利用率上提出了更高的要求。

以CdS为代表的金属硫化物便在众多新型可充分利用可见光的产氢催化剂中脱颖而出。CdS与TiO2不同，在具备比产氢电位更负的导带电位的同时，它的禁带宽度非常窄，由此在可见光范围内可以表现出非常良好的产氢性能。

CdS作为目前十分流行的半导体光电材料，广泛存在于LED发光二极管，电子屏幕显示器，亚克力晶体管等非线性光学设备中。CdS在室温下的禁带宽度为2.4eV，如此窄的带隙使其不仅可以利用紫外光，还可以利用可见光，提升了对太阳光能的利用效率。如图所示，CdS具有六方纤锌矿ABABAB和立方闪锌矿ABCABCABC两种晶体形态，过剩的Cd2+和S空位使其产生自补偿效应，被称为n-型半导体。六方纤锌矿CdS要比立方闪锌矿CdS更加稳定，两种晶体形态可以在温度的变化中进行转化，光电转化性能表现得十分优异。

当CdS的粒子尺寸接近其波尔半径2.8nm时，会产生光致发光的现象和非线性