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半导体行业反垄断中的垄断协议案例综述

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TOC\o1-3\h\u19433半导体行业反垄断中的垄断协议案例综述 1

124051.美国DRAM协议垄断案 1

223572.欧盟DRAM协议垄断案 2

139163.欧盟面板案 3

273284.三星垄断协议案 3

按照垄断协议行为主体的不同，其可分为横向垄断协议,以及纵向垄断协议。

横向垄断协议，是指具有竞争关系的经营者达成垄断协议的行为，即达成排除、限制竞争的书面或口头协议、决定或者其他协同行为。横向垄断协议行为具体包括固定价格、限制数量、划分市场、联合抵制交易等。半导体行业横向垄断协议通常由具有竞争关系的半导体公司达成，其典型表现为价格联盟，而且，大多数情形下并非达成书面或口头的协议、决定，而是采取隐蔽的协同行为。

纵向垄断协议行为是指经营者与交易相对人达成垄断协议的行为，即达成排除、限制竞争的书面或口头协议、决定或其他协同行为。纵向垄断协议行为通常不发生在直接竞争的经营者之间，而是发生在非竞争者之间，主要包括固定转售价格，或限定转售最低价格。

1.美国DRAM协议垄断案

2002年，美国司法部对DRAM厂商展开调查，指控当时的DRAM五大厂三星、海力士、美光、英飞凌、尔必达联合操纵DRAM价格。很快美光就承认罪行并转做污点证人，通过协商渠道与美国司法部合作，从而获得免于起诉的机会，其