CN119630084A 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630084A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510156708.4

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人王磊汪文婷

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师鲍诗娴

(51)Int.Cl.

H10F39/12(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图7页

(54)发明名称

半导体结构、半导体结构的制造方法及图像

传感器

(57)摘要

CN119630084A本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底内的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区用于形成光电二极管；第二掺杂区用于作为浮动扩散区；用于形成第一掺杂区和第二掺杂区之间的电子传输路径的传输栅极；其中，传输栅极包括多个间隔设置的栅极延伸部；栅极延伸部从第二掺杂区延伸至第一掺杂区。通过本申请实施例，增加了光电二极管与浮动扩散区之间的电子传输路径，加快了光电二极管与浮动扩散区之间的电子传输