CN119645161A 半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质 （深圳联钜自控科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119645161A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510175195.1

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人深圳联钜自控科技有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区福海街

道和平社区骏丰工业区综合楼B5-1栋

B座701

(72)发明人刘颂杨学迪刘岩山

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师王爱军

(51)Int.Cl.

G05D23/20(2006.01)

权利要求书4页说明书17页附图3页

(54)发明名称

半导体设备的温控方法、装置、设备及存储

介质

(57)摘要

CN119645161A本发明涉及一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质。该方法：对半导体设备的多个温控区域进行有限元网格划分及模态坐标变换，得到温控区域动态模型；采集温度传感器测量数据并进行时频域变换，生成温度预测数据序列；进行高斯混合建模得到先验分布，得到温度参数概率分布；对温度控制范围进行子域划分，得到温度域间特征映射矩阵；基于温控区域动态模型计算温区间热耦合系数矩阵，结合温度预测数据序列与温度域间特征映射矩阵构建温度控制目标函数，采用模型预测控制算法求解得到温度控制量序列。本发明提高了温