CN119645161B 半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质 （深圳联钜自控科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119645161B

(45)授权公告日2025.05.27

(21)申请号202510175195.1

(22)申请日2025.02.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119645161A

(43)申请公布日2025.03.18

(73)专利权人深圳联钜自控科技有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区福海街

道和平社区骏丰工业区综合楼B5-1栋B座701

(72)发明人刘颂杨学迪刘岩山

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师王爱军

(51)Int.Cl.

G05D23/20(2006.01)

(56)对比文件

CN114860002A,2022.08.05

CN119066617A,2024.12.03审查员田萌

权利要求书3页说明书17页附图3页

(54)发明名称

半导体设备的温控方法、装置、设备及存储

介质

(57)摘要

CN119645161B本发明涉及一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质。该方法：对半导体设备的多个温控区域进行有限元网格划分及模态坐标变换，得到温控区域动态模型；采集温度传感器测量数据并进行时频域变换，生成温度预测数据序列；进行高斯混合建模得到先验分布