CN119644672A 多探针光刻设备及光刻方法 （百及纳米科技(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119644672A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311208009.7

(22)申请日2023.09.18

(71)申请人百及纳米科技（上海）有限公司

地址201821上海市嘉定区嘉定工业区叶

城路925号B区4幢JT23373室

(72)发明人周向前杜川

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100

专利代理师蔡悦

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图10页

(54)发明名称

多探针光刻设备及光刻方法

(57)摘要

CN119644672A本发明提供了一种多探针光刻设备及光刻方法，多探针光刻设备包括多个可相对于彼此独立移动的曝光单元组，每一个曝光单元组包括一个或多个曝光单元。光刻方法可包括：将待光刻的图形划分为多个子图形，每一个子图形对应于单个曝光单元的写场；确定多个子图形的曝光顺序，其中曝光顺序指示每一个子图形的执行曝光的曝光单元以及每一个曝光单元的移动顺序，其中待光刻的图形至少由两个曝光单元组中的曝光单元同时光刻，并且多个曝光单元组中的任意两个相邻的曝光单元组之间的距离大于单个曝光单元的写场的尺寸；根据曝光顺序初始化多个曝光单元组中的每一个曝光单元组的相对位置；