CN119645160A 基于tec半导体的温度控制方法、装置及设备 （深圳联钜自控科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119645160A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510166845.6

(22)申请日2025.02.14

(71)申请人深圳联钜自控科技有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区福海街

道和平社区骏丰工业区综合楼B5-1栋

B座701

(72)发明人刘颂杨学迪刘岩山

(74)专利代理机构深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙)44850

专利代理师何松

(51)Int.Cl.

G05D23/20(2006.01)

权利要求书4页说明书19页附图2页

(54)发明名称

基于TEC半导体的温度控制方法、装置及设

备

(57)摘要

CN119645160A本发明涉及TEC半导体技术领域，公开了一种基于TEC半导体的温度控制方法、装置及设备，该方法包括：对待控温区域进行分布式温度采集和预处理，得到温度相关性矩阵；进行温度异常检测，得到温度异常特征矩阵；计算TEC控制器的温度影响范围，并将控制组映射至虚拟控制网络；进行全局温度优化，得到全局最优控制变量，并按照控制组划分为局部控制指令；构建温度控制代价函数，通过梯度迭代优化计算得到TEC控制参数；将TEC控制参数输入温度动态预测模型，在滚动预测区间内进行鲁棒优化得到局部最优控制序