CN119650518A 半导体结构的制备方法及半导体结构 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650518A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510174509.6

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人王文智张国伟周文鑫王建智

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师成亚婷

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图9页

(54)发明名称

半导体结构的制备方法及半导体结构

(57)摘要

CN119650518A本公开涉及半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法于第一金属层结构上形成第一牺牲层，通过刻蚀第一牺牲层形成若干间隔设置的台阶型第一沟槽，并于第一沟槽内形成第二金属导线和宽度小于第二金属导线的金属通孔。接着，去除相邻第二金属导线间的第一牺牲层，形成第二沟槽，并于第二沟槽内填充介质层材料形成第一介质层。刻蚀第一介质层至露出部分金属通孔侧壁的第一牺牲层后，去除金属通孔侧壁的第一牺牲层，使第一介质层与金属通孔之间形成第一气隙，最后于第二沟槽继续填充介质层材料，使第一